FQB6N90TM_AM002 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQB6N90TM_AM002

FQB6N90TM_AM002

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FQB6N90TM_AM002
LIXINC Part #	FQB6N90TM_AM002
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FQB6N90TM_AM002 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FQB6N90TM_AM002 Tekniset tiedot

Osa numero:	FQB6N90TM_AM002
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	QFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	900 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	5.8A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.9Ohm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1880 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.13W (Ta), 167W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D²PAK (TO-263AB)
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB