TPC8032-H(TE12LQM) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8032-H(TE12LQM) | TPC8032-H(TE12LQM) Inventory, Best Pricing

TPC8032-H(TE12LQM)

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TPC8032-H(TE12LQM)
LIXINC Part #	TPC8032-H(TE12LQM)
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TPC8032-H(TE12LQM) PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TPC8032-H(TE12LQM) Tekniset tiedot

Osa numero:	TPC8032-H(TE12LQM)
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	15A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	6.5mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 10 V
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2846 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	-
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SOP (5.5x6.0)
paketti/laukku:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)