FDD8870-F085 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD8870-F085

FDD8870-F085

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDD8870-F085
LIXINC Part #	FDD8870-F085
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 21A TO252AA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDD8870-F085 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDD8870-F085 Tekniset tiedot

Osa numero:	FDD8870-F085
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	21A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	118 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5160 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	160W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252AA
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63