PD20010TR-E | STMicroelectronics PD20010TR-E | PD20010TR-E Inventory, Best Pricing

PD20010TR-E

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PD20010TR-E
LIXINC Part #	PD20010TR-E
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PD20010TR-E PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 22 - Oct 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PD20010TR-E Tekniset tiedot

Osa numero:	PD20010TR-E
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	2GHz
saada:	11dB
jännite - testi:	13.6 V
nykyinen arvo (ampeeria):	5A
melukuva:	-
virta - testi:	150 mA
teho - lähtö:	10W
jännite - nimellinen:	40 V
paketti/laukku:	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
toimittajan laitepaketti:	PowerSO-10RF (Formed Lead)

BF1204,115	FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP	803 Lisää tilauksesta
2N5247	JFET N-CH 30V TO92	7890 Lisää tilauksesta
TAV-541+	SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 45 - 60	817 Lisää tilauksesta
MRF101BN	RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3	960 Lisää tilauksesta
BLF182XRU	RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B	947 Lisää tilauksesta
BLF6G21-10G,112	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A	890 Lisää tilauksesta
MRF6V14300HR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	842 Lisää tilauksesta
MRF6V12250HR5	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	878 Lisää tilauksesta
2N5639RLRA	SMALL SIGNAL FET	22934 Lisää tilauksesta
BLP7G22-05Z	RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN	921 Lisää tilauksesta
BLP8G27-5Z	RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN	1132 Lisää tilauksesta
CG2H40120F	120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2	1051 Lisää tilauksesta
MMBF4416	RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3	844 Lisää tilauksesta