BLF6G21-10G,112 | Ampleon BLF6G21-10G,112 | BLF6G21-10G,112 Inventory, Best Pricing

BLF6G21-10G,112

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLF6G21-10G,112
LIXINC Part #	BLF6G21-10G,112
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLF6G21-10G,112 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLF6G21-10G,112 Tekniset tiedot

Osa numero:	BLF6G21-10G,112
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	2.11GHz ~ 2.17GHz
saada:	18.5dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	100 mA
teho - lähtö:	700mW
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT-538A
toimittajan laitepaketti:	2-CSMD

MRF6V14300HR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	855 Lisää tilauksesta
MRF6V12250HR5	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	987 Lisää tilauksesta
2N5639RLRA	SMALL SIGNAL FET	22806 Lisää tilauksesta
BLP7G22-05Z	RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN	871 Lisää tilauksesta
BLP8G27-5Z	RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN	1172 Lisää tilauksesta
CG2H40120F	120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2	1150 Lisää tilauksesta
MMBF4416	RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3	953 Lisää tilauksesta
AFT05MS003NT1	IC TRANS RF LDMOS	1041 Lisää tilauksesta
2SK3557-6-TB-E	RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP	956 Lisää tilauksesta
BLS9G2731L-400U	RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A	927 Lisää tilauksesta
BLF7G24LS-100,118	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	987 Lisää tilauksesta
MRF5S19060MBR1	FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4	814 Lisää tilauksesta
BLM7G1822S-40PBY	RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111	1037 Lisää tilauksesta