MRF101BN | NXP Semiconductors MRF101BN | MRF101BN Inventory, Best Pricing

MRF101BN

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MRF101BN
LIXINC Part #	MRF101BN
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MRF101BN PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MRF101BN Tekniset tiedot

Osa numero:	MRF101BN
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	1.8MHz ~ 250MHz
saada:	21.1dB
jännite - testi:	50 V
nykyinen arvo (ampeeria):	10µA
melukuva:	-
virta - testi:	100 mA
teho - lähtö:	115W
jännite - nimellinen:	133 V
paketti/laukku:	TO-220-3
toimittajan laitepaketti:	TO-220-3

BLF182XRU	RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B	841 Lisää tilauksesta
BLF6G21-10G,112	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A	972 Lisää tilauksesta
MRF6V14300HR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	880 Lisää tilauksesta
MRF6V12250HR5	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	848 Lisää tilauksesta
2N5639RLRA	SMALL SIGNAL FET	22876 Lisää tilauksesta
BLP7G22-05Z	RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN	965 Lisää tilauksesta
BLP8G27-5Z	RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN	1164 Lisää tilauksesta
CG2H40120F	120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2	1141 Lisää tilauksesta
MMBF4416	RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3	843 Lisää tilauksesta
AFT05MS003NT1	IC TRANS RF LDMOS	1073 Lisää tilauksesta
2SK3557-6-TB-E	RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP	957 Lisää tilauksesta
BLS9G2731L-400U	RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A	978 Lisää tilauksesta
BLF7G24LS-100,118	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	829 Lisää tilauksesta