BF510,215 | Rochester Electronics BF510,215 | BF510,215 Inventory, Best Pricing

BF510,215

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BF510,215
LIXINC Part #	BF510,215
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	BF510 - RF SMALL SIGNAL FIELD-EF
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BF510,215 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 22 - Oct 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BF510,215 Tekniset tiedot

Osa numero:	BF510,215
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	N-Channel JFET
taajuus:	100MHz
saada:	-
jännite - testi:	10 V
nykyinen arvo (ampeeria):	30mA
melukuva:	1.5dB
virta - testi:	5 mA
teho - lähtö:	-
jännite - nimellinen:	20 V
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
toimittajan laitepaketti:	TO-236AB (SOT23)

MRF1K50NR5	WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST	1037 Lisää tilauksesta
BLP15M9S70GZ	BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP	1369 Lisää tilauksesta
PD55015STR-E	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	936 Lisää tilauksesta
BLF2425M9LS30U	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B	1041 Lisää tilauksesta
CPH6324-TL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	12877 Lisää tilauksesta
NPT25015D	HEMT N-CH 28V 23W DC-3GHZ 8SOIC	49279 Lisää tilauksesta
A2I25H060NR1	IC RF LDMOS AMP	814 Lisää tilauksesta
IGN1011L70	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND	874 Lisää tilauksesta
BLF8G24LS-100GVJ	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C	977 Lisää tilauksesta
MRF101AN	RF TRANSISTOR 100W TO-220	1101 Lisää tilauksesta
MRF8P23080HSR5	FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4	909 Lisää tilauksesta
MRFE6S9045NR1	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2	1572 Lisää tilauksesta
CGHV96130F	100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM	876 Lisää tilauksesta