A2I25H060NR1 | NXP Semiconductors A2I25H060NR1 | A2I25H060NR1 Inventory, Best Pricing

A2I25H060NR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	A2I25H060NR1
LIXINC Part #	A2I25H060NR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	IC RF LDMOS AMP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	A2I25H060NR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

A2I25H060NR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	A2I25H060NR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	2.59GHz
saada:	26.1dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	26 mA
teho - lähtö:	10.5W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	TO-270-17 Variant, Flat Leads
toimittajan laitepaketti:	TO-270WB-17

IGN1011L70	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND	997 Lisää tilauksesta
BLF8G24LS-100GVJ	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C	814 Lisää tilauksesta
MRF101AN	RF TRANSISTOR 100W TO-220	1133 Lisää tilauksesta
MRF8P23080HSR5	FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4	820 Lisää tilauksesta
MRFE6S9045NR1	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2	1549 Lisää tilauksesta
CGHV96130F	100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM	811 Lisää tilauksesta
BLF7G27LS-100,118	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	848 Lisää tilauksesta
CLF1G0035-100PU	RF MOSFET HEMT 50V LDMOST	923 Lisää tilauksesta
BLA9H0912L-250GU	BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY	982 Lisää tilauksesta
MMBF5484	RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3	839 Lisää tilauksesta
STAC3932B	TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B	919 Lisää tilauksesta
BLP05H635XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	856 Lisää tilauksesta
MCH3414-EBM-TL-E	NCH 4V DRIVE SERIES	99997 Lisää tilauksesta