IGN1011L70 | Integra Technologies IGN1011L70 | IGN1011L70 Inventory, Best Pricing

IGN1011L70

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IGN1011L70
LIXINC Part #	IGN1011L70
Valmistaja	Integra Technologies
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IGN1011L70 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IGN1011L70 Tekniset tiedot

Osa numero:	IGN1011L70
Brändi:	Integra Technologies
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Integra Technologies
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	GaN HEMT
taajuus:	1.03GHz ~ 1.09GHz
saada:	22dB
jännite - testi:	50 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	22 mA
teho - lähtö:	80W
jännite - nimellinen:	120 V
paketti/laukku:	PL32A2
toimittajan laitepaketti:	PL32A2

BLF8G24LS-100GVJ	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C	883 Lisää tilauksesta
MRF101AN	RF TRANSISTOR 100W TO-220	1026 Lisää tilauksesta
MRF8P23080HSR5	FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4	927 Lisää tilauksesta
MRFE6S9045NR1	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2	1616 Lisää tilauksesta
CGHV96130F	100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM	861 Lisää tilauksesta
BLF7G27LS-100,118	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	999 Lisää tilauksesta
CLF1G0035-100PU	RF MOSFET HEMT 50V LDMOST	941 Lisää tilauksesta
BLA9H0912L-250GU	BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY	955 Lisää tilauksesta
MMBF5484	RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3	997 Lisää tilauksesta
STAC3932B	TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B	866 Lisää tilauksesta
BLP05H635XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	1037 Lisää tilauksesta
MCH3414-EBM-TL-E	NCH 4V DRIVE SERIES	100000 Lisää tilauksesta
MRF6V4300NBR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1406 Lisää tilauksesta