BLF878,112 | Rochester Electronics BLF878,112 | BLF878,112 Inventory, Best Pricing

BLF878,112

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLF878,112
LIXINC Part #	BLF878,112
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLF878,112 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 21 - Oct 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLF878,112 Tekniset tiedot

Osa numero:	BLF878,112
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual), Common Source
taajuus:	860MHz
saada:	21dB
jännite - testi:	40 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	1.4 A
teho - lähtö:	300W
jännite - nimellinen:	89 V
paketti/laukku:	SOT-979A
toimittajan laitepaketti:	CDFM2

PTFC270101M-V1	10W, SI LDMOS, 28V, 700-2700MHZ	903 Lisää tilauksesta
STAC3932F	TRANS RF PWR N-CH STAC244F	807 Lisää tilauksesta
WP28020015	RF GAN HEMT 28V DIE DC~20GHZ, 15	838 Lisää tilauksesta
BLA6H0912-500,112	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A	869 Lisää tilauksesta
PD85035TR-E	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	847 Lisää tilauksesta
BLS9G2735LS-50U	RF MOSFET LDMOS SOT1135B	824 Lisää tilauksesta
CGHV14250F	RF MOSFET HEMT 50V 440162	952 Lisää tilauksesta
ARF463AG	RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247	910 Lisää tilauksesta
BLM8G0710S-30PBY	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	923 Lisää tilauksesta
MRF8P9040NR1	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1367 Lisää tilauksesta
ARF461AG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	965 Lisää tilauksesta
CG2H80030D-GP4	RF MOSFET HEMT 28V DIE	1319 Lisää tilauksesta
MRFE6VP8600HSR5	FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S	991 Lisää tilauksesta