BLM8G0710S-30PBY | Ampleon BLM8G0710S-30PBY | BLM8G0710S-30PBY Inventory, Best Pricing

BLM8G0710S-30PBY

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLM8G0710S-30PBY
LIXINC Part #	BLM8G0710S-30PBY
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLM8G0710S-30PBY PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLM8G0710S-30PBY Tekniset tiedot

Osa numero:	BLM8G0710S-30PBY
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	957.5MHz
saada:	35dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	30 mA
teho - lähtö:	3W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT-1211-3
toimittajan laitepaketti:	16-HSOPF

MRF8P9040NR1	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1376 Lisää tilauksesta
ARF461AG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	927 Lisää tilauksesta
CG2H80030D-GP4	RF MOSFET HEMT 28V DIE	1259 Lisää tilauksesta
MRFE6VP8600HSR5	FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S	905 Lisää tilauksesta
BLF7G10L-250,112	RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F	895 Lisää tilauksesta
PD55015-E	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	1320 Lisää tilauksesta
BLF8G27LS-100J	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B	1074 Lisää tilauksesta
MCH6305-H-TL-E	PCH 2.5V DRIVE SERIES	279841 Lisää tilauksesta
A2T26H300-24SR6	IC TRANS RF LDMOS	930 Lisää tilauksesta
A2G35S200-01SR3	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR	1129 Lisää tilauksesta
PTVA035002EV-V1-R250	RF LDMOS FET 500W, 390 - 450MHZ	988 Lisää tilauksesta
BLC10M6XS200Y	BLC10M6XS200/SOT1270/REELDP	883 Lisää tilauksesta
CGH60008D-GP4	RF MOSFET HEMT 28V DIE	1288 Lisää tilauksesta