BLA6H0912-500,112 | Ampleon BLA6H0912-500,112 | BLA6H0912-500,112 Inventory, Best Pricing

BLA6H0912-500,112

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLA6H0912-500,112
LIXINC Part #	BLA6H0912-500,112
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLA6H0912-500,112 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLA6H0912-500,112 Tekniset tiedot

Osa numero:	BLA6H0912-500,112
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	960MHz ~ 1.22GHz
saada:	17dB
jännite - testi:	50 V
nykyinen arvo (ampeeria):	54A
melukuva:	-
virta - testi:	100 mA
teho - lähtö:	450W
jännite - nimellinen:	100 V
paketti/laukku:	SOT634A
toimittajan laitepaketti:	CDFM2

PD85035TR-E	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	898 Lisää tilauksesta
BLS9G2735LS-50U	RF MOSFET LDMOS SOT1135B	1000 Lisää tilauksesta
CGHV14250F	RF MOSFET HEMT 50V 440162	1007 Lisää tilauksesta
ARF463AG	RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247	939 Lisää tilauksesta
BLM8G0710S-30PBY	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	1044 Lisää tilauksesta
MRF8P9040NR1	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1242 Lisää tilauksesta
ARF461AG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	955 Lisää tilauksesta
CG2H80030D-GP4	RF MOSFET HEMT 28V DIE	1338 Lisää tilauksesta
MRFE6VP8600HSR5	FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S	963 Lisää tilauksesta
BLF7G10L-250,112	RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F	957 Lisää tilauksesta
PD55015-E	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	1313 Lisää tilauksesta
BLF8G27LS-100J	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B	979 Lisää tilauksesta
MCH6305-H-TL-E	PCH 2.5V DRIVE SERIES	279823 Lisää tilauksesta