AFT09MS031GNR1 | NXP Semiconductors AFT09MS031GNR1 | AFT09MS031GNR1 Inventory, Best Pricing

AFT09MS031GNR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AFT09MS031GNR1
LIXINC Part #	AFT09MS031GNR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AFT09MS031GNR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AFT09MS031GNR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	AFT09MS031GNR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	870MHz
saada:	17.2dB
jännite - testi:	13.6 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	500 mA
teho - lähtö:	31W
jännite - nimellinen:	40 V
paketti/laukku:	TO-270BA
toimittajan laitepaketti:	TO-270-2 GULL

BLF0910H9LS600J	BLF0910H9LS600/SOT502/REEL	941 Lisää tilauksesta
BF1201R,215	MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R	990 Lisää tilauksesta
MRF7S24250NR3	RF MOSFET LDMOS 30V OM780-2	955 Lisää tilauksesta
PD57030-E	FET RF 65V 945MHZ PWRSO10	1569 Lisää tilauksesta
MRFX1K80NR5	RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L	924 Lisää tilauksesta
BLP05H6250XRY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232	1012 Lisää tilauksesta
MRF8S9220HSR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	1287 Lisää tilauksesta
CE3520K3-C1	RF FET 4V 20GHZ 4MICROX	9169 Lisää tilauksesta
PD55008L-E	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT	1195 Lisää tilauksesta
MRF6S9130HR5	FET RF 68V 880MHZ NI-780	927 Lisää tilauksesta
A2I25D025GNR1	IC TRANS RF LDMOS	1122 Lisää tilauksesta
A2I08H040GNR1	IC RF LDMOS AMP	853 Lisää tilauksesta
BLF871S,112	RF PFET	891 Lisää tilauksesta