BLF871S,112 | Rochester Electronics BLF871S,112 | BLF871S,112 Inventory, Best Pricing

BLF871S,112

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLF871S,112
LIXINC Part #	BLF871S,112
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF PFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLF871S,112 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLF871S,112 Tekniset tiedot

Osa numero:	BLF871S,112
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	860MHz
saada:	19dB
jännite - testi:	40 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	500 mA
teho - lähtö:	100W
jännite - nimellinen:	89 V
paketti/laukku:	SOT467B
toimittajan laitepaketti:	LDMOST

MRF174	FET RF 65V 150MHZ 211-11	1156 Lisää tilauksesta
MRFE6VP5300NR1	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270	1159 Lisää tilauksesta
MRF6S23100HSR3	FET RF 68V 2.4GHZ NI-780S	835 Lisää tilauksesta
MRFE6VP6300HSR3	RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE	957 Lisää tilauksesta
BF909A215	MOSFET N-CH SOT-143B	3778 Lisää tilauksesta
BLF8G20LS-400PVU	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B	934 Lisää tilauksesta
BLF7G27LS-150P,118	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B	950 Lisää tilauksesta
MMBFJ211	JFET N-CH 25V 20MA SOT23	24485 Lisää tilauksesta
MRFE6S9160HR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	878 Lisää tilauksesta
SD4933MR	TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177	832 Lisää tilauksesta
BLA8G1011LS-300GU	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502E	869 Lisää tilauksesta
AFT26P100-4WSR3	RF N CHANNEL, MOSFET	1038 Lisää tilauksesta
CGH27015F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1001 Lisää tilauksesta