A2I08H040GNR1 | NXP Semiconductors A2I08H040GNR1 | A2I08H040GNR1 Inventory, Best Pricing

A2I08H040GNR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	A2I08H040GNR1
LIXINC Part #	A2I08H040GNR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	IC RF LDMOS AMP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	A2I08H040GNR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

A2I08H040GNR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	A2I08H040GNR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	920MHz
saada:	30.7dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	25 mA
teho - lähtö:	9W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	TO-270-15 Variant, Gull Wing
toimittajan laitepaketti:	TO-270WBG-15

BLF871S,112	RF PFET	871 Lisää tilauksesta
MRF174	FET RF 65V 150MHZ 211-11	1137 Lisää tilauksesta
MRFE6VP5300NR1	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270	1256 Lisää tilauksesta
MRF6S23100HSR3	FET RF 68V 2.4GHZ NI-780S	963 Lisää tilauksesta
MRFE6VP6300HSR3	RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE	903 Lisää tilauksesta
BF909A215	MOSFET N-CH SOT-143B	3805 Lisää tilauksesta
BLF8G20LS-400PVU	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B	1050 Lisää tilauksesta
BLF7G27LS-150P,118	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B	929 Lisää tilauksesta
MMBFJ211	JFET N-CH 25V 20MA SOT23	24484 Lisää tilauksesta
MRFE6S9160HR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	821 Lisää tilauksesta
SD4933MR	TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177	896 Lisää tilauksesta
BLA8G1011LS-300GU	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502E	836 Lisää tilauksesta
AFT26P100-4WSR3	RF N CHANNEL, MOSFET	1085 Lisää tilauksesta