MRFE6VP8600HR5 | NXP Semiconductors MRFE6VP8600HR5 | MRFE6VP8600HR5 Inventory, Best Pricing

MRFE6VP8600HR5

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MRFE6VP8600HR5
LIXINC Part #	MRFE6VP8600HR5
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MRFE6VP8600HR5 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MRFE6VP8600HR5 Tekniset tiedot

Osa numero:	MRFE6VP8600HR5
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Last Time Buy
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	860MHz
saada:	19.3dB
jännite - testi:	50 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	1.4 A
teho - lähtö:	125W
jännite - nimellinen:	130 V
paketti/laukku:	NI-1230
toimittajan laitepaketti:	NI-1230

BLC8G27LS-240AVJ	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521	861 Lisää tilauksesta
MWT-773	FET RF 5V 26GHZ PKG 73	1252 Lisää tilauksesta
CE3512K2-C1	RF FET 4V 12GHZ 4MICROX	21910 Lisää tilauksesta
BLF571,112	RF MOSFET LDMOS 50V SOT467C	1001 Lisää tilauksesta
BLL8H1214L-250U	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A	815 Lisää tilauksesta
BF1009SRE6327HTSA1	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	9872 Lisää tilauksesta
MRFG35003N6T1	RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C	4807 Lisää tilauksesta
MRF6S19060NR1	FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4	936 Lisää tilauksesta
BF904,215	RF	876 Lisää tilauksesta
2SJ266-DL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	6897 Lisää tilauksesta
STAC2942BW	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B	834 Lisää tilauksesta
BLC8G27LS-210PVY	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513	1032 Lisää tilauksesta
BF904A,215	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	3829 Lisää tilauksesta