CE3512K2-C1 | CEL (California Eastern Laboratories) CE3512K2-C1

CE3512K2-C1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	CE3512K2-C1
LIXINC Part #	CE3512K2-C1
Valmistaja	CEL (California Eastern Laboratories)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	CE3512K2-C1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

CE3512K2-C1 Tekniset tiedot

Osa numero:	CE3512K2-C1
Brändi:	CEL (California Eastern Laboratories)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	CEL (California Eastern Laboratories)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	pHEMT FET
taajuus:	12GHz
saada:	13.7dB
jännite - testi:	2 V
nykyinen arvo (ampeeria):	15mA
melukuva:	0.5dB
virta - testi:	10 mA
teho - lähtö:	125mW
jännite - nimellinen:	4 V
paketti/laukku:	4-Micro-X
toimittajan laitepaketti:	4-Micro-X

BLF571,112	RF MOSFET LDMOS 50V SOT467C	838 Lisää tilauksesta
BLL8H1214L-250U	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A	1005 Lisää tilauksesta
BF1009SRE6327HTSA1	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	9946 Lisää tilauksesta
MRFG35003N6T1	RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C	4790 Lisää tilauksesta
MRF6S19060NR1	FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4	979 Lisää tilauksesta
BF904,215	RF	933 Lisää tilauksesta
2SJ266-DL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	6934 Lisää tilauksesta
STAC2942BW	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B	841 Lisää tilauksesta
BLC8G27LS-210PVY	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513	875 Lisää tilauksesta
BF904A,215	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	3819 Lisää tilauksesta
BF2040E6814	RF N-CHANNEL MOSFET	10740 Lisää tilauksesta
BLM7G1822S-80PBGY	RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122	1006 Lisää tilauksesta
MRF6VP3091NBR1	FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4	984 Lisää tilauksesta