2SJ266-DL-E | Rochester Electronics 2SJ266-DL-E | 2SJ266-DL-E Inventory, Best Pricing

2SJ266-DL-E

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SJ266-DL-E
LIXINC Part #	2SJ266-DL-E
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	PCH 4V DRIVE SERIES
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SJ266-DL-E PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SJ266-DL-E Tekniset tiedot

Osa numero:	2SJ266-DL-E
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	*
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	-
taajuus:	-
saada:	-
jännite - testi:	-
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	-
teho - lähtö:	-
jännite - nimellinen:	-
paketti/laukku:	-
toimittajan laitepaketti:	-

STAC2942BW	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B	904 Lisää tilauksesta
BLC8G27LS-210PVY	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513	992 Lisää tilauksesta
BF904A,215	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	3759 Lisää tilauksesta
BF2040E6814	RF N-CHANNEL MOSFET	10860 Lisää tilauksesta
BLM7G1822S-80PBGY	RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122	1006 Lisää tilauksesta
MRF6VP3091NBR1	FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4	858 Lisää tilauksesta
BLS7G3135L-350P,11	RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A	1028 Lisää tilauksesta
BLF9G38LS-90PU	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B	904 Lisää tilauksesta
NE3512S02-T1C-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	6446 Lisää tilauksesta
WP2806045UH	RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W	859 Lisää tilauksesta
NPT1012B	HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ	872 Lisää tilauksesta
ARF461BG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	918 Lisää tilauksesta
CGH40025F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1472 Lisää tilauksesta