FDD86113LZ | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD86113LZ

FDD86113LZ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDD86113LZ
LIXINC Part #	FDD86113LZ
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDD86113LZ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDD86113LZ Tekniset tiedot

Osa numero:	FDD86113LZ
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	285 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.1W (Ta), 29W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D-PAK (TO-252)
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63