STFI260N6F6 | STMicroelectronics STFI260N6F6 | STFI260N6F6 Inventory, Best Pricing

STFI260N6F6

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STFI260N6F6
LIXINC Part #	STFI260N6F6
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STFI260N6F6 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STFI260N6F6 Tekniset tiedot

Osa numero:	STFI260N6F6
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	DeepGATE™, STripFET™ VI
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	80A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	183 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	11400 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	41.7W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I2PAKFP (TO-281)
paketti/laukku:	TO-262-3 Full Pack, I²Pak