IPA50R950CEXKSA2 | IR (Infineon Technologies) IPA50R950CEXKSA2 | IPA50R950CEXKSA2 Inventory, Best Pricing

IPA50R950CEXKSA2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPA50R950CEXKSA2
LIXINC Part #	IPA50R950CEXKSA2
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPA50R950CEXKSA2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPA50R950CEXKSA2 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPA50R950CEXKSA2
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™ CE
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	500 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3.7A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	13V
rds päällä (max) @ id, vgs:	950mOhm @ 1.2A, 13V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	10.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	231 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	25.7W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220 Full Pack
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack