2SK1317-E | Renesas Electronics America 2SK1317-E | 2SK1317-E Inventory, Best Pricing

2SK1317-E

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SK1317-E
LIXINC Part #	2SK1317-E
Valmistaja	Renesas Electronics America
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SK1317-E PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SK1317-E Tekniset tiedot

Osa numero:	2SK1317-E
Brändi:	Renesas Electronics America
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Renesas Electronics America
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1500 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.5A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	15V
rds päällä (max) @ id, vgs:	12Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	990 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	100W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-3P
paketti/laukku:	TO-3P-3, SC-65-3