YJD80G06A-F1-0000 | YJD80G06A-F1-0000 | YJD80G06A-F1-0000 Inventory, Best Pricing

YJD80G06A-F1-0000

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	YJD80G06A-F1-0000
LIXINC Part #	YJD80G06A-F1-0000
Valmistaja
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	YJD80G06A-F1-0000 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

YJD80G06A-F1-0000 Tekniset tiedot

Osa numero:	YJD80G06A-F1-0000
Brändi:
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	80A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1990 pF @ 30 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	85W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63