IPBE65R099CFD7AATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPBE65R099CFD7AATMA1 | IPBE65R099CFD7AATMA1 Inventory, Best Pricing

IPBE65R099CFD7AATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPBE65R099CFD7AATMA1
LIXINC Part #	IPBE65R099CFD7AATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPBE65R099CFD7AATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPBE65R099CFD7AATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPBE65R099CFD7AATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	24A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	99mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 630µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2513 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	127W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO263-7-3-10
paketti/laukku:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB