FD650R17IE4BOSA2 | IR (Infineon Technologies) FD650R17IE4BOSA2 | FD650R17IE4BOSA2 Inventory, Best Pricing

FD650R17IE4BOSA2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FD650R17IE4BOSA2
LIXINC Part #	FD650R17IE4BOSA2
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 1700V 930A 4150W
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FD650R17IE4BOSA2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FD650R17IE4BOSA2 Tekniset tiedot

Osa numero:	FD650R17IE4BOSA2
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	PrimePack™2
paketti:	Tray
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	-
kokoonpano:	Single
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1700 V
virta - kollektori (ic) (max):	930 A
teho - max:	4150 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 650A
virta - kollektorin katkaisu (max):	5 mA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	54 nF @ 25 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	Yes
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	Module
toimittajan laitepaketti:	Module