FF1200R17KP4B2NOSA2 | IR (Infineon Technologies) FF1200R17KP4B2NOSA2 | FF1200R17KP4B2NOSA2 Inventory, Best Pricing

FF1200R17KP4B2NOSA2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FF1200R17KP4B2NOSA2
LIXINC Part #	FF1200R17KP4B2NOSA2
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MODULE 1700V 1200A
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FF1200R17KP4B2NOSA2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FF1200R17KP4B2NOSA2 Tekniset tiedot

Osa numero:	FF1200R17KP4B2NOSA2
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	*
paketti:	Tray
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	-
kokoonpano:	-
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	-
virta - kollektori (ic) (max):	-
teho - max:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
virta - kollektorin katkaisu (max):	-
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	-
syöttö:	-
ntc termistori:	-
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	-
paketti/laukku:	-
toimittajan laitepaketti:	-