NXH35C120L2C2S1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NXH35C120L2C2S1G

NXH35C120L2C2S1G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NXH35C120L2C2S1G
LIXINC Part #	NXH35C120L2C2S1G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NXH35C120L2C2S1G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NXH35C120L2C2S1G Tekniset tiedot

Osa numero:	NXH35C120L2C2S1G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	-
kokoonpano:	Three Phase Inverter with Brake
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1200 V
virta - kollektori (ic) (max):	35 A
teho - max:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 35A
virta - kollektorin katkaisu (max):	250 µA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	8.33 nF @ 20 V
syöttö:	Three Phase Bridge Rectifier
ntc termistori:	Yes
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
toimittajan laitepaketti:	26-DIP