NTLJS4149PTAG | Rochester Electronics NTLJS4149PTAG | NTLJS4149PTAG Inventory, Best Pricing

NTLJS4149PTAG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTLJS4149PTAG
LIXINC Part #	NTLJS4149PTAG
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTLJS4149PTAG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 22 - Oct 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTLJS4149PTAG Tekniset tiedot

Osa numero:	NTLJS4149PTAG
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.7A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	62mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	960 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	700mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	6-WDFN (2x2)
paketti/laukku:	6-WDFN Exposed Pad