SCT3080ALHRC11 | ROHM Semiconductor SCT3080ALHRC11 | SCT3080ALHRC11 Inventory, Best Pricing

SCT3080ALHRC11

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SCT3080ALHRC11
LIXINC Part #	SCT3080ALHRC11
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SCT3080ALHRC11 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 22 - Oct 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SCT3080ALHRC11 Tekniset tiedot

Osa numero:	SCT3080ALHRC11
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	30A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	18V
rds päällä (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 5mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	48 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -4V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	571 pF @ 500 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	134W
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247N
paketti/laukku:	TO-247-3