NVD5865NLT4G | Rochester Electronics NVD5865NLT4G | NVD5865NLT4G Inventory, Best Pricing

NVD5865NLT4G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NVD5865NLT4G
LIXINC Part #	NVD5865NLT4G
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NVD5865NLT4G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 22 - Oct 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NVD5865NLT4G Tekniset tiedot

Osa numero:	NVD5865NLT4G
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Not For New Designs
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10A (Ta), 46A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.4 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.1W (Ta), 71W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DPAK
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63