BSM400C12P3G202 | ROHM Semiconductor BSM400C12P3G202 | BSM400C12P3G202 Inventory, Best Pricing

BSM400C12P3G202

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSM400C12P3G202
LIXINC Part #	BSM400C12P3G202
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSM400C12P3G202 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSM400C12P3G202 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSM400C12P3G202
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	400A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 106.8mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	+22V, -4V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	17000 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1570W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Chassis Mount
toimittajan laitepaketti:	Module
paketti/laukku:	Module