RF4E060AJTCR | ROHM Semiconductor RF4E060AJTCR | RF4E060AJTCR Inventory, Best Pricing

RF4E060AJTCR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RF4E060AJTCR
LIXINC Part #	RF4E060AJTCR
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RF4E060AJTCR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RF4E060AJTCR Tekniset tiedot

Osa numero:	RF4E060AJTCR
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	37mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	4 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	450 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2W (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	HUML2020L8
paketti/laukku:	8-PowerUDFN