FDN306P | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDN306P

FDN306P

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDN306P
LIXINC Part #	FDN306P
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDN306P PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDN306P Tekniset tiedot

Osa numero:	FDN306P
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	12 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.6A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.8V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1138 pF @ 6 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	500mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SuperSOT-3
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3