2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK209-GR(TE85L,F) | 2SK209-GR(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

2SK209-GR(TE85L,F)

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SK209-GR(TE85L,F)
LIXINC Part #	2SK209-GR(TE85L,F)
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	TRANS SJT N-CH 10MA SC59
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SK209-GR(TE85L,F) PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 05 - Jul 09 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SK209-GR(TE85L,F) Tekniset tiedot

Osa numero:	2SK209-GR(TE85L,F)
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	-
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	13 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	150mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 125°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SC-59
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3