RM185N30DF | Rectron USA RM185N30DF | RM185N30DF Inventory, Best Pricing

RM185N30DF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RM185N30DF
LIXINC Part #	RM185N30DF
Valmistaja	Rectron USA
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CHANNEL 30V 185A 8DFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RM185N30DF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 07 - Jul 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RM185N30DF Tekniset tiedot

Osa numero:	RM185N30DF
Brändi:	Rectron USA
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rectron USA
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	185A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.4mOhm @ 95A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	8800 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	95W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-DFN (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerVDFN