FDT86256 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDT86256

FDT86256

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDT86256
LIXINC Part #	FDT86256
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDT86256 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 05 - Jul 09 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDT86256 Tekniset tiedot

Osa numero:	FDT86256
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	150 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.2A (Ta), 3A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	845mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	2 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	73 pF @ 75 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.3W (Ta), 10W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-223-4
paketti/laukku:	TO-261-4, TO-261AA