SQM40P10-40L_GE3 | Vishay / Siliconix SQM40P10-40L_GE3 | SQM40P10-40L

SQM40P10-40L_GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SQM40P10-40L_GE3
LIXINC Part #	SQM40P10-40L_GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SQM40P10-40L_GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 03 - Jul 07 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SQM40P10-40L_GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SQM40P10-40L_GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	134 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5295 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	150W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-263 (D²Pak)
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB