IPP60R1K4C6XKSA1 | Rochester Electronics IPP60R1K4C6XKSA1 | IPP60R1K4C6XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP60R1K4C6XKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPP60R1K4C6XKSA1
LIXINC Part #	IPP60R1K4C6XKSA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPP60R1K4C6XKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 04 - Jul 08 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPP60R1K4C6XKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPP60R1K4C6XKSA1
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	CoolMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3.2A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 90µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	1.1 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	200 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	28.4W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3
paketti/laukku:	TO-220-3