FDB8876 | Rochester Electronics FDB8876 | FDB8876 Inventory, Best Pricing

FDB8876

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDB8876
LIXINC Part #	FDB8876
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDB8876 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 05 - Jul 09 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDB8876 Tekniset tiedot

Osa numero:	FDB8876
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	71A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	8.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	45 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.7 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	70W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-263AB
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB