BSS123NH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSS123NH6327XTSA1 | BSS123NH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSS123NH6327XTSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSS123NH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSS123NH6327XTSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSS123NH6327XTSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSS123NH6327XTSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSS123NH6327XTSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	190mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.8V @ 13µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	0.9 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	20.9 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	500mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-23-3
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3