IMW120R060M1HXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW120R060M1HXKSA1 | IMW120R060M1HXKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW120R060M1HXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IMW120R060M1HXKSA1
LIXINC Part #	IMW120R060M1HXKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IMW120R060M1HXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IMW120R060M1HXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IMW120R060M1HXKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolSiC™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1.2 kV
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	36A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	15V, 18V
rds päällä (max) @ id, vgs:	78mOhm @ 13A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 5.6mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 18 V
vgs (max):	+23V, -7V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.06 nF @ 800 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	150W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO247-3-41
paketti/laukku:	TO-247-3