NVTFS4C06NWFTWG | Rochester Electronics NVTFS4C06NWFTWG | NVTFS4C06NWFTWG Inventory, Best Pricing

NVTFS4C06NWFTWG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NVTFS4C06NWFTWG
LIXINC Part #	NVTFS4C06NWFTWG
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NVTFS4C06NWFTWG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NVTFS4C06NWFTWG Tekniset tiedot

Osa numero:	NVTFS4C06NWFTWG
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	21A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.683 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.1W (Ta), 37W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-WDFN (3.3x3.3)
paketti/laukku:	8-PowerWDFN