BSZ105N04NSGATMA1 | Rochester Electronics BSZ105N04NSGATMA1 | BSZ105N04NSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ105N04NSGATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSZ105N04NSGATMA1
LIXINC Part #	BSZ105N04NSGATMA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	OPTLMOS POWER-MOSFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSZ105N04NSGATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSZ105N04NSGATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSZ105N04NSGATMA1
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11A (Ta), 40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 14µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.3 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.1W (Ta), 35W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TSDSON-8
paketti/laukku:	8-PowerTDFN