NTD110N02R-001G | Rochester Electronics NTD110N02R-001G | NTD110N02R-001G Inventory, Best Pricing

NTD110N02R-001G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTD110N02R-001G
LIXINC Part #	NTD110N02R-001G
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTD110N02R-001G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTD110N02R-001G Tekniset tiedot

Osa numero:	NTD110N02R-001G
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	24 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	12.5A (Ta), 110A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3.44 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.5W (Ta), 110W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I-PAK
paketti/laukku:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA