ZXMN10B08E6TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	ZXMN10B08E6TA
LIXINC Part #	ZXMN10B08E6TA
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	ZXMN10B08E6TA PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

ZXMN10B08E6TA Tekniset tiedot

Osa numero:	ZXMN10B08E6TA
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.6A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.3V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	230mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	9.2 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	497 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.1W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-26
paketti/laukku:	SOT-23-6