IRL80HS120 | IR (Infineon Technologies) IRL80HS120 | IRL80HS120 Inventory, Best Pricing

IRL80HS120

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRL80HS120
LIXINC Part #	IRL80HS120
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRL80HS120 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRL80HS120 Tekniset tiedot

Osa numero:	IRL80HS120
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	12.5A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	32mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 10µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	7 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	540 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	11.5W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	6-PQFN (2x2)
paketti/laukku:	6-VDFN Exposed Pad