AUIRF7343Q | IR (Infineon Technologies) AUIRF7343Q | AUIRF7343Q Inventory, Best Pricing

AUIRF7343Q

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AUIRF7343Q
LIXINC Part #	AUIRF7343Q
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AUIRF7343Q PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AUIRF7343Q Tekniset tiedot

Osa numero:	AUIRF7343Q
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N and P-Channel
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	55V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.7A, 3.4A
rds päällä (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	36nC @ 10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	740pF @ 25V
teho - max:	2W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
toimittajan laitepaketti:	8-SO