BSO612CV | IR (Infineon Technologies) BSO612CV | BSO612CV Inventory, Best Pricing

BSO612CV

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSO612CV
LIXINC Part #	BSO612CV
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSO612CV PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSO612CV Tekniset tiedot

Osa numero:	BSO612CV
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	SIPMOS®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N and P-Channel
fet-ominaisuus:	Standard
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3A, 2A
rds päällä (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 20µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	15.5nC @ 10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	340pF @ 25V
teho - max:	2W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
toimittajan laitepaketti:	P-DSO-8