FDMS3660S-F121 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMS3660S-F121

FDMS3660S-F121

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDMS3660S-F121
LIXINC Part #	FDMS3660S-F121
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDMS3660S-F121 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDMS3660S-F121 Tekniset tiedot

Osa numero:	FDMS3660S-F121
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	13A, 30A
rds päällä (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.7V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	29nC @ 10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1765pF @ 15V
teho - max:	1W
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-PowerTDFN
toimittajan laitepaketti:	Power56