SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIA912DJ-T1-GE3 | SIA912DJ-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIA912DJ-T1-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SIA912DJ-T1-GE3
LIXINC Part #	SIA912DJ-T1-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SIA912DJ-T1-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SIA912DJ-T1-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SIA912DJ-T1-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	12V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.5A
rds päällä (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	11.5nC @ 8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	400pF @ 6V
teho - max:	6.5W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
toimittajan laitepaketti:	PowerPAK® SC-70-6 Dual